Китайский производитель конденсаторов постоянного тока для источников питания — демпфирующие конденсаторы на основе металлизированных пленок IGBT — CRE

Краткое описание:

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Подробная информация о товаре

Метки товаров

Видео по теме

Обратная связь (2)

Мы гордимся исключительно высоким уровнем доверия со стороны наших покупателей благодаря превосходному качеству нашей продукции, конкурентоспособным ценам и лучшей поддержке.Пленочный конденсатор в цилиндрическом алюминиевом корпусе , Сухой фильтр кондиционера , Конденсатор перенапряженияБлагодарим вас за уделенное время и надеемся на плодотворное сотрудничество.

Китайский производитель конденсаторов DC-Link для источников питания — демпфирующие конденсаторы на основе металлизированных пленок IGBT — CRE Detail:

Технические данные

Диапазон рабочих температур	Максимальная рабочая температура: верхняя: +105℃, нижняя: -40℃.
диапазон емкости	0,1 мкФ – 5,6 мкФ
Номинальное напряжение	700 В постоянного тока – 3000 В постоянного тока
Кап.тол	±5%(J) ;±10%(K)
Выдерживаемое напряжение	1.5Un DC/10S
Коэффициент диссипации	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Сопротивление изоляции	C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (при 20℃, 100 В постоянного тока, 60 с) C＞0,33 мкФ RS*C≥5000S (при 20℃ 100 В постоянного тока 60S)
Выдерживает ударный ток	具体见规格表
Огнестойкость	UL94V-0
ожидаемая продолжительность жизни	100000ч (Un; Θгорячая точка≤85°C)
Эталонный стандарт	IEC61071;GB/T17702;

Напряжение			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Размеры (мм)
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ЭПР при 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкСм)	Ипк(А)	Среднеквадратичное отклонение при 40℃ и 100 кГц (А)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


Напряжение			Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Размеры (мм)
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ЭПР (мОм)	ESL(nH)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Ирмы
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Напряжение			Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ЭПР (мОм)	ESL(nH)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Ирмы
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

Напряжение			Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ЭПР (мОм)	ESL(nH)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Ирмы
0,33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

Напряжение			Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ЭПР (мОм)	ESL(nH)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Ирмы
0,22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

Напряжение			Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ЭПР (мОм)	ESL(nH)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Ирмы
0,15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Особенность

1. Пластик, герметизированный смолой;

2. Луженые медные вставки на выводах, облегчающие установку IGBT;

3. Устойчивость к высокому напряжению, низкое значение tgδ, низкий температурный подъем;

4. Низкие показатели ESL и ESR;

5. Высокий импульсный ток.

Благодаря использованию внутренней конструкции с низкой индуктивностью, опциональных корпусов из литого полимера и специально разработанных выводов, транзисторы серии SMJ-P предназначены для быстрого переключения IGBT-транзисторов и могут использоваться в качестве демпфирующих резисторов и фильтров высокочастотного входного тока с высоким током.

Фотографии товара:

Руководство по сопутствующим товарам:

Мы также специализируемся на совершенствовании системы управления и контроля качества, чтобы обеспечить сохранение значительных преимуществ в условиях жесткой конкуренции на китайском рынке производителей конденсаторов постоянного тока для источников питания — металлизированных пленочных демпфирующих конденсаторов IGBT — CRE. Наша продукция поставляется по всему миру, например, в Сиэтл, Веллингтон, Литву. Благодаря опыту наших сотрудников, научному управлению и современному оборудованию мы гарантируем высокое качество продукции, завоевывая доверие клиентов и укрепляя свой бренд. Сегодня наша команда стремится к инновациям, просвещению и интеграции, постоянно совершенствуясь, опираясь на мудрость и философию, чтобы удовлетворить рыночный спрос на высококачественную продукцию и создавать профессиональные товары.

Пленка осевого демпфирующего конденсатора

Конденсатор для IGBT