• ббб

Заводское изготовление снабберного конденсатора для IgBT - диэлектрика с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпферный конденсатор для IGBT - CRE

Краткое описание:


Информация о продукте

Теги продукта

Похожие видео

Обратная связь (2)

Хорошо управляемые продукты, квалифицированная группа с доходом и лучшее послепродажное обслуживание;Мы также были единой большой семьей, все люди придерживались бизнес-цены «объединение, преданность делу, терпимость» дляКонденсатор постоянного тока для систем зарядки аккумуляторов , Цилиндрический конденсатор в пластиковом корпусе , Металлизированный пленочный конденсатор из полипропилена, Видя, веришь!Мы искренне приветствуем новых клиентов за рубежом для создания ассоциаций организаций, а также надеемся на консолидацию ассоциаций, используя при этом давние перспективы.
Заводское изготовление снабберного конденсатора для IGBT — диэлектрика с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпферный конденсатор для IGBT — Детали CRE:

Серия SMJ-P

Диапазон номинального напряжения: от 1000 до 2000 В постоянного тока.
Диапазон емкости: от 0,1 до 3,0 мкФ
Монтажный шаг: от 22,5 мм до 48 мм.
Конструкция: Металлизированный полипропиленовый диэлектрик, внутреннее последовательное соединение.
Применение: защита IGBT, резонансные резервуарные цепи.

Самовосстанавливающиеся снабберные конденсаторные элементы сухого типа производятся с использованием специально профилированной металлизированной полипропиленовой пленки волнообразной резки, что обеспечивает низкую самоиндукцию, высокую устойчивость к разрыву и высокую надежность.Отключение из-за избыточного давления не считается необходимым.Верхняя часть конденсатора герметизирована самозатухающей экологически чистой эпоксидной смолой.Специальная конструкция обеспечивает очень низкую самоиндукцию.

IMG_0397.HEIC

Таблица технических характеристик

Напряжение Un 700 В постоянного тока, Urms 400 В переменного тока; Us 1050 В
Размер (мм)
Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt (В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 40 ℃ @ 100 кГц (А)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1,5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5,5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3,5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3,5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5,6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3,5 33 230 1380 28
6,8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57,5 42,5 56 2,8 30 200 1600 33
Напряжение Un 1000 В постоянного тока, Urms 500 В переменного тока; Us 1500 В
Размер (мм)
Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1,5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 г. 25
3.3 57,5 35 50 3,5 28 550 1815 г. 25
3,5 57,5 38 54 3,5 28 500 1750 г. 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 г. 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 год 30
5,6 57,5 42,5 56 2,8 24 400 2240 32
Напряжение Un 1200 В постоянного тока, Urms 550 В переменного тока; Us 1800 В
Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1,5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 г. 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 г. 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 г. 28
3,5 57,5 38 54 3,5 25 500 1750 г. 28
4 57,5 42,5 56 3,5 25 450 1800 г. 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 год 32
Напряжение Un 1700 В постоянного тока, Urms 575 В переменного тока; Us 2250 В
Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1,5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 г. 18
1,5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 г. 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3,8 26 600 1980 год 28
3,5 57,5 42,5 56 3,5 25 500 1750 г. 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 г. 32
Напряжение Un 2000В постоянного тока,Urms700Впеременного тока;Us3000В
Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1,5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 г. 32
Напряжение Un 3000В постоянного тока,Urms750Впеременного тока;Us4500В
Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 г. 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 г. 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28

Подробные изображения продукта:

Заводское изготовление снабберного конденсатора для IGBT — диэлектрик с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для IGBT — подробные изображения CRE

Заводское изготовление снабберного конденсатора для IGBT — диэлектрик с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для IGBT — подробные изображения CRE

Заводское изготовление снабберного конденсатора для IGBT — диэлектрик с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для IGBT — подробные изображения CRE

Заводское изготовление снабберного конденсатора для IGBT — диэлектрик с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для IGBT — подробные изображения CRE


Сопутствующее руководство по продукту:

Соблюдать контракт», соответствует требованиям рынка, вступает в рыночную конкуренцию благодаря своему превосходному качеству, а также обеспечивает более комплексную и отличную компанию для покупателей, позволяя им стать огромными победителями. Целью компании, безусловно, являются клиенты. ' удовлетворение для заводского изготовления снабберного конденсатора для IgBT - диэлектрика с низкими потерями из полипропиленовой пленки. Демпферный конденсатор для применения IGBT - CRE. Продукт будет поставляться по всему миру, например: Прованс, Осло, Эквадор. Независимо от того, выбираете ли вы текущий продукт из нашего каталог или ищу инженерную помощь для вашего приложения, вы можете поговорить с нашим центром обслуживания клиентов о ваших требованиях к поставщикам. Мы можем предоставить хорошее качество по конкурентоспособной цене лично для вас.
  • Заводское оборудование является передовым в отрасли, продукция отличается высоким качеством изготовления, кроме того, цена очень низкая, соотношение цены и качества! 5 звезд Автор Сабрина из Словакии - 2017.08.28 16:02
    Менеджер по продажам имеет хороший уровень английского языка и квалифицированные профессиональные знания, у нас хорошее общение.Он теплый и веселый человек, у нас сложилось приятное сотрудничество и мы стали очень хорошими друзьями наедине. 5 звезд Майк из Ангильи - 2018.09.08 17:09

    Отправьте нам сообщение:

    Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам

    Отправьте нам сообщение: