• ббб

Завод по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — демпфирующий конденсатор с низкими потерями из полипропиленовой пленки для применения в IGBT — CRE

Краткое описание:


Подробная информация о товаре

Метки товаров

Видео по теме

Обратная связь (2)

Инновации, превосходство и надежность — основные ценности нашей компании. Сегодня эти принципы как никогда ранее лежат в основе нашего успеха как международной компании среднего размера.Конденсатор постоянного тока для автомобильного применения , Конденсаторы постоянного тока в преобразователях мощности , Высоковольтный полипропиленовый пленочный конденсаторМы уделяем первостепенное внимание качеству и удовлетворению потребностей клиентов, поэтому применяем строгие меры контроля качества. У нас есть собственные испытательные лаборатории, где наша продукция тестируется по всем параметрам на различных этапах обработки. Благодаря использованию новейших технологий, мы предоставляем нашим клиентам возможность индивидуального производства.
Завод по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — демпфирующий конденсатор с низкими потерями из полипропиленовой пленки для применения в IGBT — CRE Detail:

серия SMJ-P

Диапазон номинального напряжения: от 1000 В постоянного тока до 2000 В постоянного тока.
Диапазон емкости: от 0,1 мкФ до 3,0 мкФ
Расстояние между крепежными отверстиями: от 22,5 мм до 48 мм
Конструкция: Металлизированный полипропиленовый диэлектрик, внутреннее последовательное соединение.
Применение: защита IGBT-транзисторов, резонансные колебательные цепи.

Самовосстанавливающиеся сухие демпфирующие конденсаторы изготавливаются с использованием специально профилированной, волнообразно вырезанной металлизированной полипропиленовой пленки, что обеспечивает низкую собственную индуктивность, высокую устойчивость к разрыву и высокую надежность. Отключение при избыточном давлении не требуется. Верхняя часть конденсатора герметизирована самозатухающей экологически чистой эпоксидной смолой. Специальная конструкция обеспечивает очень низкую собственную индуктивность.

IMG_0397.HEIC

Таблица технических характеристик

Напряжение Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Размеры (мм)
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ЭПР при 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкСм) Ипк(А) Среднеквадратичное отклонение при 40℃ и 100 кГц (А)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Напряжение Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Размеры (мм)
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ЭПР (мОм) ESL(nH) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмы
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Напряжение Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ЭПР (мОм) ESL(nH) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмы
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
Напряжение Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ЭПР (мОм) ESL(nH) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмы
0,33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
Напряжение Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ЭПР (мОм) ESL(nH) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмы
0,22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0,33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Напряжение Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ЭПР (мОм) ESL(nH) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмы
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0,33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Фотографии товара:

Завод по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — низкопотерный диэлектрик из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для применения в IGBT — подробные фотографии от CRE.

Завод по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — низкопотерный диэлектрик из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для применения в IGBT — подробные фотографии от CRE.

Завод по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — низкопотерный диэлектрик из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для применения в IGBT — подробные фотографии от CRE.

Завод по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — низкопотерный диэлектрик из полипропиленовой пленки. Демпфирующий конденсатор для применения в IGBT — подробные фотографии от CRE.


Руководство по сопутствующим товарам:

Мы ставим перед собой цели «ориентированность на клиента, качество, комплексность, инновационность». «Правда и честность» — наш управленческий идеал для завода по производству демпфирующих конденсаторов для IGBT — низкопотерных диэлектриков из полипропиленовой пленки, демпфирующих конденсаторов для применения в IGBT — CRE. Продукция поставляется по всему миру, например, в Гану, Гаити, Бразилиа. Наша продукция широко признана и пользуется доверием пользователей и отвечает постоянно меняющимся экономическим и социальным потребностям. Мы приветствуем новых и старых клиентов из всех сфер деятельности и приглашаем их связаться с нами для установления деловых отношений и достижения взаимного успеха!
  • Качество продукции хорошее, система контроля качества полная, на каждом этапе можно своевременно получить информацию и решить проблему! 5 звезд Янник Вергоз из Омана - 28.09.2017 18:29
    Придерживаясь принципа взаимной выгоды в бизнесе, мы стремимся к успешной и приятной сделке и уверены, что станем лучшим деловым партнером. 5 звезд Гейл из Каира - 11.11.2018 19:52

    Отправьте нам ваше сообщение:

    Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.

    Отправьте нам ваше сообщение: