Конденсаторное решение для индивидуальной продукции в Китае - соответствует требованиям ROHS и REACH Осевой демпферный конденсатор SMJ-TE

Конденсаторное решение для индивидуальной продукции — соответствует требованиям ROHS и REACH. Осевой демпферный конденсатор SMJ-TE — CRE

Специальное конденсаторное решение для персонализированных продуктов — соответствует требованиям ROHS и REACH. Осевой демпферный конденсатор SMJ-TE — CRE Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Информация о продукте

Теги продукта

Обратная связь (2)

Наша миссия будет заключаться в том, чтобы стать инновационным поставщиком высокотехнологичных цифровых и коммуникационных устройств, предоставляя ценный дизайн и стиль, производство мирового класса и возможности обслуживания дляЭлектронный пленочный конденсатор , Конденсатор постоянного тока высокого напряжения , Резонансный конденсатор хорошего качестваБлагодаря нашим усилиям наша продукция завоевала доверие клиентов и стала очень востребованной как здесь, так и за рубежом.

Конденсаторное решение для индивидуальной продукции — соответствует требованиям ROHS и REACH. Осевой демпферный конденсатор SMJ-TE — CRE. Подробности:

Серия SMJ-TE

Демпферный конденсатор из металлизированной полипропиленовой пленки

Самовосстанавливающиеся снабберные конденсаторные элементы сухого типа производятся с использованием специально профилированной металлизированной полипропиленовой пленки волновой резки, что обеспечивает низкую самоиндукцию, высокую устойчивость к разрыву и высокую надежность.Отключение из-за избыточного давления не считается необходимым.Верхняя часть конденсатора герметизирована самозатухающей экологически чистой эпоксидной смолой.Специальная конструкция обеспечивает очень низкую самоиндукцию.

IMG_0953.HEIC

Таблица технических характеристик

SMJ-TE Осевой конденсатор
Напряжение		Un630В.DC;Urms400ВAC;Us 945В
Емкость (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	Н (мм±1)	φd (мм)	СОЭ при 100 кГц (мОм)	ЭСЛ(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,22	32	9,5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6,5
0,47	32	14,5	22,5	1	11	21	220	103,4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9,5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7,6
1,5	37	13,5	21,5	1	7	27	150	225	9,5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2,5	37	18	26	1.2	5,5	25	120	300	10,5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10,8
3.3	37	21	29	1.2	4,5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12,8
4.7	57	28	40,5	1.2	3,8	32	200	940	13,8
5,6	57	31	33,5	1.2	3,5	32	185	1036	13,5
6,8	37	29	41,5	1.2	2,5	28	100	680	13,8
6,8	57	34	46,5	1.2	2,8	30	180	1224	14.2
Напряжение		Un 1000В постоянного тока;Urms 500В переменного тока;Us 1500В
Емкость (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	Н (мм±1)	φd (мм)	СОЭ при 100 кГц (мОм)	ЭСЛ(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5,5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15,5	23	1	13	21	1000	330	8,7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10,5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9,5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10,8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21,5	29,5	1.2	5,6	27	900	900	11
1,5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1,5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4,8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4,8	32	600	1200	12,8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320	13,8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13,5
2,5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3,5	34	480	1440	15,6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16,5
3,5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575 г.	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974 год	17,8
5,6	57	38,5	65	1.2	2,8	38	400	2240	18,2
Напряжение		Un 1200 В постоянного тока; Urms 550 В переменного тока; Us 1800 В
Емкость (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	Н (мм±1)	φd (мм)	СОЭ при 100 кГц (мОм)	ЭСЛ(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,1	32	8,5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7,5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9,5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9,8
0,68	32	21,5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11,7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1,5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425	13,5
1,5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12,6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4,8	30	750	1500	13,8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 г.	14,5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540 г.	14,5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17,8
4.7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974 год	18,2
Напряжение		Un 1700 В постоянного тока; среднеквадратичное значение 600 В переменного тока; Us 2550 В
Емкость (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	Н (мм±1)	φd (мм)	СОЭ при 100 кГц (мОм)	ЭСЛ(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,1	32	9,5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7,5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8,5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9,9
0,33	44	13,5	21,5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11,7
1	44	24	33,5	1.2	5,6	26	900	900	12.4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10,8
1,5	44	28	40,5	1.2	4,8	25	800	1200	13,5
1,5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13,5
2	44	31,5	47	1.2	4,5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4,8	32	650	1300	12,8
2.2	44	33,5	49	1.2	4,5	34	700	1540 г.	15,6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14,5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680 г.	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650 г.	17,6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800 г.	18,2
Напряжение		Un 2000В постоянного тока;Urms 700В переменного тока;Us 3000В
Емкость (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	Н (мм±1)	φd (мм)	СОЭ при 100 кГц (мОм)	ЭСЛ(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6,9
0,1	32	11,5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10,5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9,5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14,5
1,5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14,5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540 г.	17,8
Напряжение		Un 3000В постоянного тока;Urms 750В переменного тока;Us 4500В
Емкость (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	Н (мм±1)	φd (мм)	СОЭ при 100 кГц (мОм)	ЭСЛ(нГн)	dv/dt(В/мкСм)	Ипк(А)	Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,047	44	13,5	21,5	1	22	20	2000 г.	94	8,5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 г.	122,4	10,5
0,1	44	20,5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202,5	13,8
0,22	44	29	41,5	1.2	14,5	22	1200	264	14,5

видео

Подробные изображения продукта:

Сопутствующее руководство по продукту:

Мы собираемся посвятить себя предоставлению нашим уважаемым покупателям самых продуманных продуктов и услуг для индивидуальных продуктов. Специальное решение для конденсаторов - соответствующий требованиям ROHS и REACH Осевой демпферный конденсатор SMJ-TE - CRE. Продукт будет поставляться по всему миру, такие как: Франция, Бахрейн, Новый Орлеан. Основная продукция нашей компании широко используется во всем мире;80% нашей продукции экспортируется в США, Японию, Европу и другие рынки.Все вещи искренне приветствуются, гости приходят посетить нашу фабрику.

Индивидуальный конденсатор для солнечного инвертора

Завод конденсаторов постоянного тока

Четырехконтактный клеммный конденсатор

Гто Снаббер