• ббб

Диэлектрик с низкими потерями из полипропиленовой пленки Демпферный конденсатор для IGBT

Краткое описание:

Демпферные конденсаторы IGBT серии CRE соответствуют требованиям ROHS и REACH.

1. Огнезащитные характеристики обеспечиваются за счет использования пластикового корпуса и эпоксидного заполнителя, соответствующего UL94-VO.

2. Стили терминалов и размеры корпусов могут быть настроены по индивидуальному заказу.

 


  • :
  • Информация о продукте

    Теги продукта

    Серия SMJ-P

    Диапазон номинального напряжения: от 1000 до 2000 В постоянного тока.
    Диапазон емкости: от 0,1 до 3,0 мкФ
    Монтажный шаг: от 22,5 мм до 48 мм.
    Конструкция: Металлизированный полипропиленовый диэлектрик, внутреннее последовательное соединение.
    Применение: защита IGBT, резонансные резервуарные цепи.

    Самовосстанавливающиеся снабберные конденсаторные элементы сухого типа изготавливаются с использованием специально профилированной металлизированной полипропиленовой пленки волнообразной резки, что обеспечивает низкую самоиндукцию, высокую устойчивость к разрыву и высокую надежность.Отключение из-за избыточного давления не считается необходимым.Верхняя часть конденсатора герметизирована самозатухающей экологически чистой эпоксидной смолой.Специальная конструкция обеспечивает очень низкую самоиндукцию.

    IMG_0397.HEIC

    Таблица технических характеристик

    Напряжение Un 700 В постоянного тока, Urms 400 В переменного тока; Us 1050 В
    Размер (мм)
    Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt (В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 40 ℃ @ 100 кГц (А)
    0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
    0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
    1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
    1,5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
    2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
    2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
    3 42,5 33 45 5,5 22 380 1140 20
    3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
    3,5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
    3,5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
    4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
    5,6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
    6 57,5 38 54 3,5 33 230 1380 28
    6,8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
    8 57,5 42,5 56 2,8 30 200 1600 33
    Напряжение Un 1000 В постоянного тока, Urms 500 В переменного тока; Us 1500 В
    Размер (мм)
    Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
    0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
    0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
    1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
    1,5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
    2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
    2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
    3 57,5 35 50 4 30 600 1800 г. 25
    3.3 57,5 35 50 3,5 28 550 1815 г. 25
    3,5 57,5 38 54 3,5 28 500 1750 г. 25
    4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 г. 28
    4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 год 30
    5,6 57,5 42,5 56 2,8 24 400 2240 32
    Напряжение Un 1200 В постоянного тока, Urms 550 В переменного тока; Us 1800 В
    Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
    0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
    0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
    1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
    1,5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
    2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
    2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 г. 25
    3 57,5 35 50 4 27 600 1800 г. 25
    3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 г. 28
    3,5 57,5 38 54 3,5 25 500 1750 г. 28
    4 57,5 42,5 56 3,5 25 450 1800 г. 30
    4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 год 32
    Напряжение Un 1700 В постоянного тока, Urms 575 В переменного тока; Us 2250 В
    Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
    0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
    0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
    0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
    1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
    1,5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 г. 18
    1,5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 г. 20
    2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
    2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
    3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
    3.3 57,5 38 54 3,8 26 600 1980 год 28
    3,5 57,5 42,5 56 3,5 25 500 1750 г. 30
    4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 г. 32
    Напряжение Un 2000В постоянного тока,Urms700Впеременного тока;Us3000В
    Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
    0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
    0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
    0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
    0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
    0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
    0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
    1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
    1,5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
    2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
    2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 г. 32
    Напряжение Un 3000В постоянного тока,Urms750Впеременного тока;Us4500В
    Сп(мкФ) Л(±1) Т(±1) Н(±1) СОЭ (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Ирмс
    0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
    0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
    0,22 57,5 35 50 15 25 2000 г. 330 20
    0,33 57,5 35 50 12 24 1800 г. 495 20
    0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
    0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Отправьте нам сообщение:

    Напишите свое сообщение здесь и отправьте его нам

    Отправьте нам сообщение: