• ббб

Осевой демпферный конденсатор SMJ-TE, соответствующий требованиям ROHS и REACH

Краткое описание:

Демпферный конденсатор
Демпферные конденсаторы IGBT серии CRE соответствуют требованиям ROHS и REACH.

1. Огнезащитные характеристики

2. Пластиковый корпус или корпус из майларовой ленты.

3. торцевая заливка эпоксидной смолой

4. Соответствует UL94.

5. Доступен индивидуальный дизайн


Информация о продукте

Теги продукта

Серия SMJ-TE

Демпферный конденсатор из металлизированной полипропиленовой пленки

Самовосстанавливающиеся снабберные конденсаторные элементы сухого типа производятся с использованием специально профилированной металлизированной полипропиленовой пленки волновой резки, что обеспечивает низкую самоиндукцию, высокую устойчивость к разрыву и высокую надежность.Отключение из-за избыточного давления не считается необходимым.Верхняя часть конденсатора герметизирована самозатухающей экологически чистой эпоксидной смолой.Специальная конструкция обеспечивает очень низкую самоиндукцию.

IMG_0953.HEIC

Таблица технических характеристик

SMJ-TE Осевой конденсатор
Напряжение Un630В.DC;Urms400ВAC;Us 945В
Емкость (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) Н (мм±1) φd (мм) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,22 32 9,5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6,5
0,47 32 14,5 22,5 1 11 21 220 103,4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9,5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7,6
1,5 37 13,5 21,5 1 7 27 150 225 9,5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2,5 37 18 26 1.2 5,5 25 120 300 10,5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10,8
3.3 37 21 29 1.2 4,5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12,8
4.7 57 28 40,5 1.2 3,8 32 200 940 13,8
5,6 57 31 33,5 1.2 3,5 32 185 1036 13,5
6,8 37 29 41,5 1.2 2,5 28 100 680 13,8
6,8 57 34 46,5 1.2 2,8 30 180 1224 14.2
Напряжение Un 1000В постоянного тока;Urms 500В переменного тока;Us 1500В
Емкость (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) Н (мм±1) φd (мм) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5,5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15,5 23 1 13 21 1000 330 8,7
0,47 32 18,5 26 1.2 10 23 1000 470 10,5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9,5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10,8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5,6 27 900 900 11
1,5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1,5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4,8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4,8 32 600 1200 12,8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13,8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13,5
2,5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3,5 34 480 1440 15,6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16,5
3,5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 г. 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 год 17,8
5,6 57 38,5 65 1.2 2,8 38 400 2240 18,2
Напряжение Un 1200 В постоянного тока; Urms 550 В переменного тока; Us 1800 В
Емкость (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) Н (мм±1) φd (мм) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,1 32 8,5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7,5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9,5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9,8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18,5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11,7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1,5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13,5
1,5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12,6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4,8 30 750 1500 13,8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 г. 14,5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 г. 14,5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17,8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 год 18,2
Напряжение Un 1700 В постоянного тока; среднеквадратичное значение 600 В переменного тока; Us 2550 В
Емкость (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) Н (мм±1) φd (мм) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,1 32 9,5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7,5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8,5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18,5 26,5 1 12 22 1200 396 9,9
0,33 44 13,5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11,7
1 44 24 33,5 1.2 5,6 26 900 900 12.4
1 57 19,5 27,5 1.2 6 33 850 850 10,8
1,5 44 28 40,5 1.2 4,8 25 800 1200 13,5
1,5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13,5
2 44 31,5 47 1.2 4,5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4,8 32 650 1300 12,8
2.2 44 33,5 49 1.2 4,5 34 700 1540 г. 15,6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14,5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 г. 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 г. 17,6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 г. 18,2
Напряжение Un 2000В постоянного тока;Urms 700В переменного тока;Us 3000В
Емкость (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) Н (мм±1) φd (мм) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6,9
0,1 32 11,5 19,5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10,5 18,5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9,5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19,5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18,5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14,5
1,5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14,5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16,5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 г. 17,8
Напряжение Un 3000В постоянного тока;Urms 750В переменного тока;Us 4500В
Емкость (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) Н (мм±1) φd (мм) СОЭ при 100 кГц (мОм) ЭСЛ(нГн) dv/dt(В/мкСм) Ипк(А) Irms @ 25 ℃ @ 100 кГц (А)
0,047 44 13,5 21,5 1 22 20 2000 г. 94 8,5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 г. 122,4 10,5
0,1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13,8
0,22 44 29 41,5 1.2 14,5 22 1200 264 14,5

видео


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Отправьте нам сообщение:

    Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам

    Отправьте нам сообщение: